GDCL-V 20kV/10kA沖擊組合波測(cè)試系統(tǒng)設(shè)備針對(duì)低壓配電系統(tǒng)SPD的II級(jí)產(chǎn)品組合波測(cè)試試驗(yàn)要求,可產(chǎn)生沖擊電壓(1.2/50μs)和沖擊電流(8/20μs),用于SPD以及元器件的三級(jí)試驗(yàn)和限制電壓試驗(yàn)。也可對(duì)MOV閥片、單元和浪涌保護(hù)器(SPD)等進(jìn)行沖擊電流試驗(yàn)及殘壓值的檢定,或者用于其他科學(xué)研究試驗(yàn)。
為提高測(cè)試自動(dòng)化程度,該裝置采用計(jì)算機(jī)和PLC控制技術(shù),主要性能滿足國(guó)內(nèi)外對(duì)SPD產(chǎn)品及其器件進(jìn)行各類組合波測(cè)試需求。
標(biāo)準(zhǔn)
GB 18802.1-2012 低壓配電系統(tǒng)的電涌保護(hù)器(SPD) 第一部分:性能要求和試驗(yàn)方法
GB/T 18802.12-2006 低壓配電系統(tǒng)的電涌保護(hù)器(SPD)第12部分:選擇和使用導(dǎo)則
GB/T 16927.1-1997高電壓試驗(yàn)技術(shù) 第一部分 一般試驗(yàn)要求
GB/T 16927.2-1997高電壓試驗(yàn)技術(shù) 第二部分 測(cè)量系統(tǒng)
GB/T 17626.5-1999 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)
IEC61000-4-5 電磁兼容性(EMC)第4-5部分:測(cè)試與測(cè)量技術(shù) --- 浪涌抗擾性試驗(yàn)
IEC61643.11: 低壓電涌保護(hù)器(SPD)- 第11部分:低壓電力系統(tǒng)的電涌保護(hù)器 --- 性能要求和試驗(yàn)辦法
IEC61643-21: 低壓電涌保護(hù)器(SPD)- 第21部分:電信與信號(hào)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的電涌保護(hù)器 --- 性能要求和試驗(yàn)方法
產(chǎn)品參數(shù)
適用條件
海拔高度:£1000m
環(huán)境溫度:-5℃~+40℃,最大日溫差:25℃
相對(duì)濕度:< 85%(20℃),無(wú)凝露
使用環(huán)境:戶內(nèi)
無(wú)導(dǎo)電塵埃、無(wú)火災(zāi)及爆炸危險(xiǎn)、無(wú)腐蝕金屬和絕緣的氣體
電源電壓的波形為正弦波,波形畸變率 < 5%,電壓波動(dòng)小于10%
接地電阻不大于0.5Ω
測(cè)試平臺(tái)主要技術(shù)參數(shù)為:
輸入電源:AC220V/22kV/3kVA,50Hz
直流最高充電電壓:DC12kV,最大充電電流0.5A
充電時(shí)間:22kV40s~60s內(nèi)完成
充電電壓整定:測(cè)試初始化進(jìn)行充電電壓預(yù)設(shè)定和整定
殘壓水平:≤2.5kV
自動(dòng)極性轉(zhuǎn)換:可分別單獨(dú)設(shè)置正負(fù)極性沖擊次數(shù),相位角度0-360°可調(diào)
雷電沖擊電流發(fā)生回路
雷電流8/20μs雷電流額定幅值:2-20kA,
電容量:16uF充電電壓12kV
輸出能力:10%~100%,反峰<20%(不接退耦負(fù)載)
輸出阻抗:0.5歐姆(10kV/20kA)
組合波發(fā)生回路
雷電流8/20μs雷電流額定幅值:1-10kA,雷電壓1.2/50μs雷電流額定幅值:2-20kV,
電容量:8uF充電電壓22kV
輸出能力:10%~100%,反峰<20%(不接退耦負(fù)載)
輸出阻抗:2歐姆±10%
試品柜: 寬度x直徑x高度=400*400*300mm ( 也可以根據(jù)客戶要求特別定制)
柜子的尺寸: 寬度x直徑x高度=600*800*1800mm
重量:約650 kg